Днес ще споделим други изгодни области на приложение на плоските -листови мембрани от силициев карбид. Плоските -слоести мембрани от силициев карбид, комбинирани с процеси на активна утайка в MBR, представляват сценарии за работа с нисък-поток (проектен поток 25~60 LMH, инфилтрат от сметищата 25 LMH, битови отпадни води 60 LMH). Обратно, плоските -листови мембрани от силициев карбид също имат много изгодни сценарии за работа с висок-поток (проектен поток 150~1000 LMH).
В сравнение със сценариите за-работа с нисък поток, плоските{1}}листови мембрани от силициев карбид определено са по-рентабилни-при сценарии за работа с висок-поток.
Днес ще се съсредоточим върху приложението на плоски-листови мембрани от силициев карбид в отпадъчни води с висока-мътност в полупроводниковата индустрия.
Основните източници на отпадъчни води с висока{0}}мътност в производството на полупроводници са:
1. Почистване на отпадъчни води след смилане и нарязване на вафли (изтъняване на задната страна за намаляване на дебелината на вафлите; нарязване на вафли на чипове)
2. Почистване на отпадъчни води след планаризация
Технологията за планаризация в полупроводниковата индустрия се нарича CMP (Chemical Mechanical Polishing). Основният принцип на CMP (непрекъснато полиране) е да се върти пластина спрямо полираща подложка в присъствието на абразивна суспензия (като разтвор на КОН, съдържащ колоидни SiO2 суспендирани частици), докато се прилага натиск, като по този начин се постига полиране чрез механично смилане и химическо ецване. Тази технология несъмнено ще се разшири от планаризацията на междинни слоеве диелектрици (ILDs), изолатори, проводници, вградени метали (W, Al, Cu, Au), полисилиций и силициеви оксидни канали в полупроводниковата индустрия до полета за повърхностна обработка като тънко-слойни дискове за съхранение, микроелектромеханични системи (MFMS), керамика, магнитни глави, механични абразиви, прецизни вентили, оптично стъкло и метални материали.
Характеристиките на отпадъчните води с висока{0}}мътност от производството на полупроводници са следните:
1. Висока мътност, главно поради високи концентрации на фини прахови частици.
2. Ниска проводимост и нисък ТОС.
3. CMP отпадъчните води имат окислителни свойства.
От гледна точка на замърсяването на мембраната факторът на замърсяване е просто висока концентрация на фини прахови частици. Методите за физическо почистване са много ефективни за регенериране на мембранен поток. Ниската проводимост и ниският TOC означава ниска склонност към органично замърсяване и котлен камък, което води до дълги цикли на химическо почистване.
Това е идеален сценарий за приложение на технологията за мембранно разделяне! По същество е пригоден за операция на първоначално филтриране!
Високите концентрации на фини прахови частици означават, че високите скорости на потока на повърхността на мембраната представляват постоянен риск от механично износване на разделителния слой на мембраната.
Предимства на технологията за потопена ултрафилтрация, използваща плоски листови мембрани от силициев карбид за отпадъчни води с висока-мътност в полупроводниковата индустрия:
1. Висок поток: мембранен поток По-голям или равен на 300 LMH, ниски инвестиционни разходи;
2. Ниска консумация на енергия: ниски разходи за експлоатация и поддръжка;
3. Висока степен на възстановяване (до По-голямо или равно на 95%), в сравнение със 75%~85% за органичните мембрани.
